Siemens ET1 Series Bedienungsanleitung Seite 100

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TFH Berlin Grundlagen der Elektrotechnik I Prof. Dr. Suchaneck
100
r
v
r
F
r
B
K Hallkonstante
d = Schichtdicke des Halbleiters
I Steuerstrom
Fldichte senkrecht zum Halbleiter
H
St
=
=
=
B
ÆÈÇ
→⋅×=×
dF =
dQ
dt
v = Augenblicksgeschwindig -
keit der Ladung dQ
r
r
l
r
r
l
r
r
()( )dBdQ
d
dt
B
Die gesamte Kraft F auf die bewegte Ladung Q erhält man durch Integration
Lorentzkraft
r
r
r
FQvB
()
Elektronenablenkung
7.6.5 Hall-Generator
Ausnutzung des Hall-Effektes (E.A. Hall, 1880)
Hall-Generatoren bestehen aus einer polykristallinen Halbleiterschicht aus Indium- oder
Iridiumverbindungen aber auch aus Silizium oder Germanium.
Die Halbleiterschicht hat zwei Steuerstromanschlüsse und zwei Kontakte zum A/jointfilesconvert/440460/bgriff der
Hall-Spannung.
Wird der Halbleiter von einem Magnetfeld durchsetzt, so wirkt auf den Steuerstrom die
Lorentzkraft, d.h. die Ladungsträger werden von ihrer ursprünglichen Bahn (ohne Magnet-
feld) a/jointfilesconvert/440460/bgelenkt und es entsteht die Hallspannung.
÷ Die Ablenkung von Ladungsträgern im Magnetfeld verursacht deren Trennung, dadurch
entsteht eine Potentialdifferenz, d.h. eine el. Spannung.
Die Polarität der Hallspannung ist abhängig von der Art der Ladungsträger (p-Halbleiter oder
n-Halbleiter).
Hallspannung
U
K
d
IB
H
H
St
=⋅
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